一種X波段三叉H型低電壓RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)
真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù)： 7 2023-06-15
摘要： 針對(duì)射頻電路系統(tǒng)所需要的低電壓，高隔離度，低插入損耗的應(yīng)用需求，通過(guò)對(duì)開關(guān)正對(duì)面積對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生的影響進(jìn)行探究，設(shè)計(jì)了一款應(yīng)用于X波段三叉H型的RF MEMS開關(guān)。開關(guān)具有六條懸臂梁作為支撐，通過(guò)增大上極板面積來(lái)降低開關(guān)的開啟電壓。分別使用HFSS和COMSOL對(duì)開關(guān)的射頻性能和機(jī)械性能進(jìn)行仿真，開關(guān)最終優(yōu)化后，在8-12GHz內(nèi)，插入損耗為0.26～0.57 dB，隔離度大于...
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