低真空管路中顆粒傳輸特性研究

摘要： 半導(dǎo)體光刻技術(shù)、電真空器件等領(lǐng)域?qū)φ婵窄h(huán)境的要求已不僅局限于真空度，對(duì)潔凈度也有了更高的要求。研究表明真空系統(tǒng)中某些運(yùn)動(dòng)部件在一定條件下會(huì)產(chǎn)生細(xì)小的顆粒，污染真空環(huán)境。因此需要對(duì)固體顆粒污染在真空管道中的傳輸規(guī)律和落點(diǎn)分布進(jìn)行研究，從而為真空環(huán)境顆粒污染防護(hù)提供理論依據(jù)。文章通過(guò)模擬軟件COMSOL，對(duì)固體顆粒在不同氣體流態(tài)下的傳輸特性進(jìn)行了研究。在仿真中顆粒的受力主要考慮自身...