多晶硅生長過程固液界面、應力、位錯及熔體流動的變化規(guī)律

摘要： 定向凝固（DS）法生產的多晶硅錠是光伏產業(yè)最基礎、最主要的功能性材料之一，但實際生產中多晶硅復雜的工藝仍需進行優(yōu)化。采用有限體積法對定向凝固法多晶硅生長過程進行瞬態(tài)全局模擬，數(shù)值模擬過程中將溫度場、應力場和流場進行耦合，以研究多晶硅生長過程中固液界面波動率、硅錠內應力、位錯密度以及硅熔體流動的變化規(guī)律。結果表明，長晶初期固液界面波動率較大，為29.83%，而長晶中期和末期界面波...