水平超導(dǎo)磁場直拉法硅單晶熔體過熱現(xiàn)象

摘要： 基于水平超導(dǎo)磁場及特定熱場結(jié)構(gòu)，對直拉法硅單晶生長過程中的熔體過熱現(xiàn)象進(jìn)行了數(shù)值模擬和實(shí)驗(yàn)研究。在數(shù)值模擬中發(fā)現(xiàn)了熔體對流和溫度變化的特殊趨勢，隨后在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)了相應(yīng)位置晶體直徑突然收縮現(xiàn)象，依此推測拉晶過程中生長界面附近熔體溫度及溫度梯度的變化是引起晶體直徑收縮的直接原因。此外發(fā)現(xiàn)改變?nèi)垠w溫度梯度將改變?nèi)垠w過熱現(xiàn)象發(fā)生的位置和幅度，模擬中對兩種極端的功率條件進(jìn)行了計(jì)算，并在實(shí)...