鈦酸鋇基阻變存儲單元的構(gòu)建及其特性

摘要： 采用磁控濺射在低阻態(tài)Si(100)襯底上制備均勻的鈦酸鋇(BTO)薄膜，通過磁控濺射制備Ag電極，構(gòu)建Si(100)/BTO/Ag阻變存儲單元。利用XRD,SEM和AFM對不同退火溫度和保溫時間下的BTO薄膜結(jié)構(gòu)和形貌進行表征，利用數(shù)字源表對Si(100)/BTO/Ag阻變存儲單元進行阻變性能測試。結(jié)果表明，退火溫度750℃、保溫0.5 h條件下制備的BTO薄膜結(jié)晶度最高，薄膜...