執(zhí)軌道轉(zhuǎn)移力矩之筆,書寫磁隨機(jī)存儲(chǔ)器新篇章

摘要： <正>磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(magnetoresistive random access memory, MRAM)以其高能效和快速的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力在大數(shù)據(jù)時(shí)代備受關(guān)注~([1,2]).在MRAM單元中,數(shù)據(jù)通過(guò)兩個(gè)鐵磁層磁化狀態(tài)的平行和反平行排列以低電阻態(tài)和高電阻態(tài)形式存儲(chǔ)在磁隧道結(jié)(magnetic tunnel junction, MTJ)中~([3,4]). （共3頁(yè)）