Ag摻雜TiO₂阻變特性的理論研究

摘要： 阻變隨機存儲器(RRAM)是一種非易失性存儲器。相比于傳統(tǒng)的存儲器，阻變隨機存儲器的讀寫速度和存儲性能都實現(xiàn)了重大突破，是公認的新一代主流存儲器。但是以TiO₂等金屬氧化物為襯底的阻變隨機存儲器還存在阻變機制不清楚的問題。采用基于密度泛函理論的第一性原理，研究了Ag摻雜TiO₂的阻變特性，研究表明[001]、[110]、[011]、[111]四個方向的形成能和表面能均為負，... （共9頁）