基于28 nm RRAM的可重構真隨機數(shù)發(fā)生器
浙江大學學報(工學版)
頁數(shù): 8 2024-06-12
摘要: 基于阻變存儲器(RRAM)電流饑餓型環(huán)形振蕩器的真隨機數(shù)發(fā)生器(TRNG)方案,提出交替讀寫的操作模式,優(yōu)化熵源重構機制.針對現(xiàn)有RRAM在多操作周期下跨導線性化問題,提出熵可配置電阻窗口鉗位電路.通過減小電阻窗口獲得RRAM非線性的最大化,所提電路能夠有效避免RRAM出現(xiàn)過度置位、過度復位的現(xiàn)象,保證熵源穩(wěn)定性.基于UMC 28 nm HKMG工藝對TRNG進行流片.輸出數(shù)據(jù)...