基于電壓調(diào)控自旋軌道矩器件多數(shù)決定邏輯門的存內(nèi)華萊士樹乘法器設(shè)計(jì)

摘要： 在使用新型非易失性存儲(chǔ)陣列進(jìn)行存內(nèi)計(jì)算的研究中，存內(nèi)乘法器的延遲往往隨著位寬的增加呈指數(shù)增長(zhǎng)，嚴(yán)重影響計(jì)算性能。該文設(shè)計(jì)一種電壓調(diào)控自旋軌道矩磁隨機(jī)存儲(chǔ)器(VGSOT-MRAM)單元交叉陣列，并提出一種存內(nèi)華萊士樹乘法器的電路設(shè)計(jì)方法。所提串聯(lián)存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)通過電阻求和的方式，有效解決磁存儲(chǔ)器單元阻值較低的問題；其次提出基于電壓調(diào)控自旋軌道矩磁存儲(chǔ)器單元交叉陣列的存內(nèi)計(jì)算架構(gòu)，利... （共8頁(yè)）