浮柵和高壓柵極共摻在EEPROM中的應(yīng)用研究

摘要： 為簡化電可擦除可編程只讀存儲器（Electrically-erasable programmable read-only memory, EEPROM）的制造工藝以及減少等離子體對隧道氧化層的損害，重點分析了將浮柵多晶硅和高壓器件的柵極共同摻雜對存儲器件和高壓器件的影響，包括不同摻雜濃度下EEPROM存儲單元的擦寫速度、讀取電流、可靠性以及高壓晶體管的電學(xué)特性等相關(guān)分析，探討優(yōu)...