SRAM單元的單粒子效應(yīng)三維敏感區(qū)形狀參數(shù)模擬仿真方法

摘要： 為揭示靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）輻射效應(yīng)以及內(nèi)部電荷收集變化規(guī)律，從而為器件輻射效應(yīng)及加固提供有效的仿真數(shù)據(jù)支撐，針對(duì)器件在軌單粒子翻轉(zhuǎn)（SEU），提出一種SRAM單元的三維敏感區(qū)形狀參數(shù)模擬仿真方法。首先通過(guò)器件級(jí)和電路級(jí)仿真相結(jié)合的手段，利用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（TCAD）構(gòu)建三維模型；然后通過(guò)仿真獲得重離子從不同方向入射后的單粒子瞬態(tài)電流，將此電流作為故障注入到65 nm SR...