非對稱電阻場板場效應器件擊穿特性仿真分析

摘要： 利用TCAD仿真研究一種二維緊耦合電阻場板電流調制原理下的物理模型與最優(yōu)化結構。通過優(yōu)化關鍵工藝與材料參數，改善器件漂移區(qū)尖峰電場，最終在相同漂移區(qū)摻雜下?lián)舸╇妷狠^一維PN結理論擊穿電壓提升273%,相同歸一化擊穿電壓10%變化范圍下，漂移區(qū)電荷變化允許冗余范圍比現(xiàn)有傳統(tǒng)PN超結拓寬15倍。相較于對稱電阻場板場效應器件，在現(xiàn)有工藝下非對稱優(yōu)化電阻場板場效應器件能夠更好的實現(xiàn)結構... （共5頁）