環(huán)境溫度對HfO₂鐵電存儲器的質(zhì)子輻照效應(yīng)影響研究

摘要： 基于HfO₂的鐵電隨機存取存儲器(FeRAM)具有功耗低、存取速度快，易于小型化，抗干擾能力強等優(yōu)勢，在航天航空領(lǐng)域有廣袤的發(fā)展空間。然而，F(xiàn)eRAM在太空環(huán)境下的抗輻照性能尚未得到全面的研究。研究了W/TiN/Hf_(0.5)Zr_(0.5)O₂(HZO)/TiN鐵電存儲器在常溫和高溫環(huán)境下經(jīng)5 MeV質(zhì)子輻照后的電學(xué)特性和鐵電疇結(jié)構(gòu)變化。通過電學(xué)和壓電響應(yīng)力顯微鏡(PF...