基于統(tǒng)計數(shù)據(jù)的RRAM器件特性參數(shù)分析

摘要： 本文統(tǒng)計了58款不同結構和不同材料的RRAM器件結構和電學特性參數(shù),根據(jù)參數(shù)之間的聯(lián)系建立了器件特性參數(shù)的計算模型,用統(tǒng)計學的百分位法計算了器件數(shù)據(jù)的差異性,獲得了RRAM器件參數(shù)的定量指標.根據(jù)計算結果,我們發(fā)現(xiàn)RRAM器件的寫時間、擦時間、寫能量和數(shù)據(jù)維持時間均未達到預期指標, ECM器件低阻態(tài)時有量子力學效應,而VCM器件則沒有量子力學效應. RRAM器件還需要進一步發(fā)展... （共14頁）