濺射功率對InZnO薄膜晶體管電學性能的影響研究

摘要： 采用射頻磁控濺射法，在室溫下Si/SiO₂襯底上制備InZnO薄膜晶體管，并研究不同濺射功率（25,50,75和100 W）對InZnO薄膜晶體管電學性能的影響。XRD表征結果表明，不同濺射功率制備的InZnO薄膜均出現(xiàn)晶面為（002）面的多晶態(tài)結構。通過電學特性研究發(fā)現(xiàn)，當濺射功率為50 W時，電流的開關比為3×10~7，場效應遷移率為14.8 cm~2V^-1s~(-... （共8頁）