基于400 nm氮化硅平臺(tái)的片上光放大器波導(dǎo)寬度的優(yōu)化模型

摘要： 提出一種基于400 nm氮化硅平臺(tái)的摻鉺光波導(dǎo)放大器（EDWA）波導(dǎo)寬度的精確設(shè)計(jì)模型。首先，采用半矢量有限差分法獲取波導(dǎo)的截止條件與信號(hào)光單模條件，確定波導(dǎo)寬度的設(shè)計(jì)范圍。其次，考慮光纖-波導(dǎo)的耦合過(guò)程以及泵浦光經(jīng)過(guò)端面耦合器時(shí)會(huì)對(duì)不同模式產(chǎn)生不同的激發(fā)效應(yīng)，仿真設(shè)計(jì)一種針對(duì)980 nm泵浦光的雙層端面耦合器，分析不同波導(dǎo)寬度對(duì)應(yīng)的功率分配系數(shù)，從而精確建模泵浦光模場(chǎng)。最后，... （共7頁(yè)）