c軸傾斜的BiCuTeO薄膜的制備及其脈沖光探測

摘要： BiCuTeO是近年來新發(fā)現的一種P型熱電材料.本文利用脈沖激光沉積技術在LaAlO₃單晶襯底上制備了c軸10°傾斜的BiCuTeO薄膜，研究了生長溫度對薄膜物相和表面形貌的影響，基于橫向熱電效應測試了其脈沖光探測特性.結果發(fā)現：380℃生長的薄膜晶體質量最優(yōu)；在308 nm脈沖激光輻照下，輸出電壓靈敏度達到9.5 V/mJ、上升時間為68 ns,該靈敏度優(yōu)于相同晶系的BiC...