構(gòu)筑晶格匹配犧牲層:制備高質(zhì)量自支撐薄膜材料的有效途徑

摘要： <正>自支撐型薄膜材料因其脫離襯底束縛而展現(xiàn)出物化性質(zhì)均一、便于成型組裝、避免界面缺陷等優(yōu)異特性,在柔性電子器件、智能傳感系統(tǒng)、能量?jī)?chǔ)存轉(zhuǎn)換、化學(xué)分離等領(lǐng)域表現(xiàn)出巨大應(yīng)用潛力.目前已開發(fā)出的自支撐型薄膜的制備方法包括化學(xué)刻蝕、物理/機(jī)械剝離、界面合成、原位轉(zhuǎn)化等.作為自支撐型薄膜材料的重要成員,自支撐型氧化物薄膜材料的主要制備方法為濕法制備,即基于水溶性犧牲層的外延生長(zhǎng)、剝離和...