當前位置:首頁 > 科技文檔 > 物理學 > 正文

基于邊緣優(yōu)化設計的低損耗Si3N4光功率分束器

深圳大學學報(理工版) 頁數(shù): 4 2024-05-16
摘要: 隨著信息技術(shù)的發(fā)展,市場對于更小型化、更高效光器件的需求不斷增加.采用互補金屬氧化物半導體(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工藝,成功制備了Si3N4光功率分束器并對其進行測試.結(jié)果表明,在1 550 nm波長下,邊緣優(yōu)化的1×8功率分束器的總損耗僅為1.30 dB,且其體積相較于傳統(tǒng)設計可減小30%.本研究應用逆... (共4頁)

開通會員,享受整站包年服務立即開通 >