SiC基底覆多層石墨烯力學強化性能分子動力學模擬

摘要： 微機電系統(tǒng)半導體SiC器件覆多層石墨烯的力學強化性能與塑性變形微觀研究,將對提升該器件耐久性服役壽命期和強韌化機制理解起到顯著作用.因此,本文基于分子動力學法探討了石墨烯堆垛類型(AA和AB堆垛)和極端使役溫度對其接觸力學性能(最大承載荷、硬度、楊氏模量、接觸剛度)、微結構演化、接觸質(zhì)量、褶皺形貌、位錯總長的影響,解釋了SiC基底覆多層石墨烯力學強化的原子尺度機制.研究發(fā)現(xiàn):相...