不同取代基對(duì)聯(lián)苯二酰亞胺基空穴傳輸材料光電性能的影響

摘要： 本工作設(shè)計(jì)了四種以聯(lián)苯二酰亞胺為核心的新型空穴傳輸材料(HTMs),并且分別研究了含H、OH、OMe和NH₂取代基對(duì)其性能的影響?；诿芏确汉碚?DFT),討論了所設(shè)計(jì)的分子的幾何結(jié)構(gòu)、前線分子軌道(FMOs)、HOMO-LUMO能級(jí)能隙、態(tài)密度(DOS)、絕對(duì)硬度、靜電勢(shì)(ESP)以及空穴傳輸速率?；诤瑫r(shí)密度泛函理論(TD-DFT),討論了空穴傳輸材料分子的吸收光譜、電...