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碳化硅納米拋光亞表面損傷機(jī)理的分子動(dòng)力學(xué)模擬

機(jī)械工程學(xué)報(bào) 頁數(shù)： 10 2023-10-11
摘要： 碳化硅(SiC)在表面微納加工過程中損傷機(jī)理的研究不足限制了SiC的加工表面質(zhì)量及應(yīng)用，因此了解不同拋光參數(shù)下SiC的損傷機(jī)理對(duì)提高SiC的納米加工表面質(zhì)量具有重要意義。采用分子動(dòng)力學(xué)模擬研究了單晶SiC在納米拋光過程中的亞表面損傷機(jī)理，并考慮了拋光速度和拋光深度的影響。結(jié)果表明，隨著拋光深度的增加，SiC的去除機(jī)制逐漸由以黏附和犁溝機(jī)制為主轉(zhuǎn)變?yōu)橐郧邢鳈C(jī)制為主。微裂紋通過滑移...

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