基于有源箝位技術的SiC MOSFET串聯均壓有源驅動電路研究

摘要： 功率器件串聯技術是實現高壓應用的有效途徑之一，而串聯應用的主要制約因素是串聯器件之間的動態(tài)均壓問題。該文針對不均壓條件下串聯器件的關斷行為進行了理論分析，探究不均壓的產生機理，提出一種基于有源箝位技術的碳化硅金屬-氧化物半導體場效應晶體管串聯均壓有源驅動，其利用有源箝位電路檢測串聯器件之間的電壓不均衡，并箝位電壓尖峰，通過反饋控制器件柵極電荷及開關瞬態(tài)行為實現均壓。該方案不存在... （共14頁）