負(fù)柵極偏置下的SiC MOSFET柵氧老化狀態(tài)監(jiān)測(cè)

摘要： 隨著SiC MOSFET的大量應(yīng)用,其柵氧可靠性成為了備受關(guān)注的熱點(diǎn)問(wèn)題。然而現(xiàn)有研究主要關(guān)注正應(yīng)力條件下的老化,對(duì)負(fù)應(yīng)力引起的柵氧老化缺乏研究。首先,介紹了SiC MOSFET柵氧老化機(jī)理并分析監(jiān)測(cè)參數(shù)的影響。然后,建立SiC MOSFET開(kāi)通過(guò)程的高頻振蕩等效模型,并分析柵氧老化對(duì)監(jiān)測(cè)參數(shù),即柵極開(kāi)通振蕩電流峰值的影響。最后通過(guò)雙脈沖實(shí)驗(yàn)和Buck電路研究了負(fù)柵極偏置下的開(kāi)... （共4頁(yè)）