淺析射頻SiP多物理場耦合分析關(guān)鍵技術(shù)
電子元件與材料
頁數(shù): 12 2024-09-05
摘要: 射頻系統(tǒng)級封裝(SiP)的多物理場耦合分析問題已經(jīng)成為限制其可靠性提升的關(guān)鍵因素。當(dāng)前,射頻SiP的多物理場耦合分析內(nèi)容主要包括模型建立和數(shù)值算法,然而,模型建立方法以及算法的適用性與選擇方法是一大難點。同時隨著物理場和射頻SiP模型復(fù)雜度的不斷提高和計算需求的不斷攀升,現(xiàn)有部分分析方法存在計算量大、適配不佳等問題亟待優(yōu)化。本文對多物理場模型的建立方法及射頻SiP關(guān)鍵物理場單場... (共12頁)