具有溝槽氧化物和P~-屏蔽層的4H-SiC MPS的設(shè)計(jì)與仿真

摘要： 利用TCAD仿真研究了一種具有溝槽氧化物和P~-屏蔽層結(jié)構(gòu)的新型4H-SiC TP-MPS二極管。通過在傳統(tǒng)MPS中引入溝槽氧化物和P~-屏蔽層，能夠有效地抑制器件的迅回效應(yīng)和改善其反向恢復(fù)特性。分別仿真了漂移區(qū)摻雜濃度、P~-區(qū)深度及SiO₂厚度等關(guān)鍵參數(shù)對(duì)迅回效應(yīng)和反向恢復(fù)特性的影響。研究結(jié)果表明：增加金屬功函數(shù)、P~-區(qū)厚度和SiO₂厚度，以及減小漂移區(qū)摻雜濃度，均可... （共8頁(yè)）