具有可控空穴抽取路徑的低損耗4H-SiC雙溝槽超結IGBT

摘要： 基于TCAD設計并仿真了一種具有可控空穴抽取(CHE)路徑的雙溝槽超結IGBT(CHE-SJ-TIGBT)結構。該器件采用肖特基和非對稱超結結構，以增強器件的導通性能和阻斷能力。CHE路徑由金屬柵極(MES)控制。CHE-SJ-TIGBT導通時，高偏置的MES柵極電壓會夾斷CHE路徑，使P-屏蔽層(P-shield)處于浮空狀態(tài)，以維持較高電導調制并獲得較低的導通壓降(V_(o... （共10頁）