柔性氧化物薄膜晶體管柵絕緣層的研究進(jìn)展
材料導(dǎo)報(bào)
頁數(shù): 9 2023-12-05
摘要: 柔性氧化物薄膜晶體管(Thin-film transistor, TFT)因具有遷移率高、電流開關(guān)比大、器件均一性好、柔韌性好和輕薄等優(yōu)點(diǎn)而備受業(yè)界關(guān)注,廣泛應(yīng)用于柔性有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示、柔性傳感、仿生突觸等領(lǐng)域。其中,柵絕緣層對(duì)柔性氧化物TFT的性能至關(guān)重要,它不僅影響著器件的基本電學(xué)性能,對(duì)器件的偏壓、光照穩(wěn)定性也有著明顯的影響。因此,柵絕緣層材料及其制備工藝是... (共9頁)