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IGBT器件關(guān)斷能力提升的參數(shù)篩選方法研究

華北電力大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版) 頁數(shù)： 9 2023-01-06
摘要： 絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor, IGBT)器件內(nèi)部通過并聯(lián)大量芯片保證其關(guān)斷能力，當(dāng)并聯(lián)芯片的參數(shù)分散性較大時，器件的關(guān)斷能力會不可避免的退化。因而，研究IGBT器件關(guān)斷能力提升的參數(shù)篩選方法非常重要。為此，本文首先分析了并聯(lián)兩IGBT芯片關(guān)斷失效的特征及關(guān)鍵的影響因素，并首次給出了并聯(lián)IGBT芯片動態(tài)閂鎖失效的電壓電流... （共9頁）

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