GaN HEMT功率器件及輻射效應(yīng)研究進(jìn)展
微納電子技術(shù)
頁數(shù)： 12 2024-10-31
摘要： 闡述了氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)在電力電子和衛(wèi)星通信領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢，并從材料生長、器件結(jié)構(gòu)和性能提升的角度梳理了近年國內(nèi)外的發(fā)展現(xiàn)狀。針對GaN HEMT功率器件在復(fù)雜空間環(huán)境下面臨的輻射損傷問題，重點(diǎn)歸納了γ射線輻射、中子輻射、質(zhì)子輻射及重離子輻射引起GaN HEMT功率器件電學(xué)性能的退化規(guī)律，并總結(jié)了GaN HEMT功率器件在這些粒子輻射下產(chǎn)生的總劑量效應(yīng)... （共12頁）
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