柵極電阻對(duì)SiC MOSFET半橋電路串?dāng)_的影響

摘要： SiC MOSFET廣泛應(yīng)用于高頻領(lǐng)域，這使其在半橋電路中極易發(fā)生串?dāng)_現(xiàn)象。實(shí)際情況中，半橋電路上、下橋臂的柵極電阻通常保持一致。然而，現(xiàn)有的串?dāng)_研究?jī)H在某一橋臂的柵極電阻為定值的條件下分析另一橋臂中柵極電阻的影響，難以獲取實(shí)際電路中的串?dāng)_特性。研究了SiC MOSFET半橋電路串?dāng)_特性，分析了上、下橋臂柵極電阻單獨(dú)變化與同步變化對(duì)串?dāng)_的影響規(guī)律，并探究了不同共源極電感情況下柵... （共7頁）