SiC MOSFET關(guān)鍵動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試技術(shù)研究及特性分析

摘要： SiC MOSFET開(kāi)關(guān)速度快導(dǎo)致其對(duì)測(cè)試平臺(tái)的寄生參數(shù)較為敏感，而高電壓和大電流的特性也為測(cè)試平臺(tái)設(shè)計(jì)帶來(lái)挑戰(zhàn)。自主設(shè)計(jì)和搭建了一套集成化和規(guī)范化的大功率雙脈沖測(cè)試平臺(tái)，利用疊層母排結(jié)構(gòu)的低雜感集成化設(shè)計(jì)，減小器件過(guò)快的開(kāi)關(guān)速度對(duì)主回路寄生電感的影響；通過(guò)驅(qū)動(dòng)過(guò)欠壓保護(hù)電路設(shè)計(jì)，減小大電流密度的影響，保證器件可靠開(kāi)通和關(guān)斷。為驗(yàn)證該測(cè)試平臺(tái)的實(shí)用性，選取幾種國(guó)內(nèi)外不同廠家的S... （共14頁(yè)）