不同柵氧退火工藝下的SiC MOS電容及其界面電學(xué)特性
半導(dǎo)體技術(shù)
頁(yè)數(shù)： 7 2024-11-20
摘要： SiC MOS電容的電學(xué)特性和柵氧界面特性是評(píng)價(jià)和改進(jìn)SiC MOS器件制造工藝的重要依據(jù)。通過(guò)依次測(cè)試SiC MOS器件的氧化物絕緣特性、界面態(tài)密度、偏壓溫度應(yīng)力不穩(wěn)定性(偏壓溫度應(yīng)力條件下的平帶電壓漂移)、氧化物陷阱電荷密度和可動(dòng)電荷密度的方法，對(duì)分別經(jīng)過(guò)氮等離子體氧化后退火(POA)處理、氮?dú)浠旌系入x子體POA處理、氮?dú)溲趸旌系入x子體POA處理、氮?dú)渎然旌系入x子體POA處... （共7頁(yè)）
APP 