n~+/n~-型硅襯底擴(kuò)散片X_(jn+)理論分析與測(cè)試方法優(yōu)化
半導(dǎo)體技術(shù)
頁(yè)數(shù): 7 2024-10-23
摘要: n型襯底擴(kuò)散片擴(kuò)散深度(X_(jn+))是n~+/n~-型硅襯底擴(kuò)散片最重要的參數(shù)之一,X_(jn+)的理論計(jì)算對(duì)磷擴(kuò)散生產(chǎn)和X_(jn+)測(cè)試具有重要的指導(dǎo)意義。但現(xiàn)有擴(kuò)散理論計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)差異較大,需更精準(zhǔn)的計(jì)算方法。通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)X_(jn+)的測(cè)試與理論計(jì)算結(jié)果進(jìn)行對(duì)比分析,引入了修正系數(shù)k_n與k_p,得到理論計(jì)算與測(cè)試結(jié)果吻合的X_(jn+)計(jì)算方法。并根據(jù)修正后的... (共7頁(yè))