面向生物檢測(cè)的AlGaN/GaN HEMT傳感芯片研究進(jìn)展
傳感器與微系統(tǒng)
頁數(shù)： 5 2024-12-02
摘要： 氮化鋁鎵(AlGaN)/氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)生物傳感器是基于第三代半導(dǎo)體GaN開發(fā)的新型離子敏場(chǎng)效應(yīng)晶體管(ISFET)生物傳感器，其利用器件敏感區(qū)電荷變化調(diào)制異質(zhì)結(jié)溝道中的高電子遷移率二維電子氣(2DEG)來工作，與傳統(tǒng)硅基ISFET相比，AlGaN/GaN HEMT生化傳感器具有更優(yōu)的化學(xué)穩(wěn)定性，因此具有更大的應(yīng)用范圍。本文從AlGaN/GaN H... （共5頁）
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