高摻鈧AlN壓電薄膜HBAR器件及工藝研究

摘要： 本文研究了高摻鈧氮化鋁(Al_xSc_(1-x)N)壓電薄膜高次諧波體聲波諧振器(HBAR)的設(shè)計仿真與關(guān)鍵制備工藝。仿真研究了鈧摻雜對壓電材料和HBAR器件性能影響，研究表明：30%鈧組分的Al_(0.7)Sc_(0.3)N薄膜能夠提升諧振器近5倍的有效機電耦合系數(shù)(k_(eff)~2)。研究了電感耦合等離子體刻蝕(ICP)刻蝕工藝對Mo電極斜坡角度的影響，通過調(diào)控工藝參數(shù)可... （共4頁）