基于選區(qū)外延法的單片異質(zhì)集成GaN/Si的研究

摘要： 將GaN器件與Si集成電路進(jìn)行單片異質(zhì)集成是當(dāng)前微電子領(lǐng)域的前沿研究方向之一，而直接從材料定義系統(tǒng)的選區(qū)外延法是其中最具潛力的技術(shù)途徑。針對(duì)選區(qū)外延法的實(shí)施過(guò)程中，選區(qū)外延GaN的高溫過(guò)程會(huì)嚴(yán)重影響已制Si集成電路功能的問(wèn)題，提出一種MOSFET溝道熱擴(kuò)裕量預(yù)留技術(shù)，并通過(guò)理論分析和仿真實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該技術(shù)的可行性與有效性。研究結(jié)果克服了選區(qū)外延法的固有缺陷，能夠在實(shí)現(xiàn)GaN/Si... （共6頁(yè)）