基于SiP技術的新型瓦片式TR組件設計
微波學報
頁數(shù): 5 2024-11-15
摘要: 基于系統(tǒng)級封裝(SiP)技術,設計了一種新型瓦片式TR組件,該TR組件工作于Ku頻段,使用高溫共燒陶瓷(HTCC)技術,配合散熱性良好的復合材料圍框及蓋板封裝,采用球柵陣列(BGA)射頻/低頻連接方式,實現(xiàn)高密度互連。具備對4路Ku頻段信號分時收發(fā)和幅相控制功能。在接收狀態(tài)下,對4路信號進行低噪聲放大并合為1路輸出。在發(fā)射狀態(tài)下,將1路信號功分為4路并進行功率放大輸出。該TR組... (共5頁)