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基于IPD工藝的高選擇性帶通濾波器設(shè)計(jì)

微波學(xué)報(bào) 頁(yè)數(shù): 4 2024-11-15
摘要: 現(xiàn)代通信技術(shù)的快速發(fā)展對(duì)射頻濾波器的尺寸與性能提出了更高更嚴(yán)的要求。本文設(shè)計(jì)了一款采用GaAs IPD工藝的高選擇性帶通濾波器,將逆切比雪夫?yàn)V波器結(jié)構(gòu)與多個(gè)諧振器結(jié)合以生成額外傳輸零點(diǎn)。對(duì)電路結(jié)構(gòu)各部分原理進(jìn)行了分析,采用ADS電磁仿真軟件進(jìn)行濾波器電路建模與仿真驗(yàn)證。仿真結(jié)果表明:該帶通濾波器通帶2.1~3.8 GHz,通帶內(nèi)最小插入損耗為2.4 dB,帶外抑制在DC~1.3... (共4頁(yè))

帶通濾波器集成無(wú)源器件砷化鎵高選擇性

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