應(yīng)用半定量RT-PCR分析正常生長條件下UV-B輻射抗性水稻品種Lemont和敏感水稻品種Dular根系Lsi1基因的表達(dá)豐度,結(jié)果發(fā)現(xiàn)Lemont根系的Lsi1基因表達(dá)量較Dular高(圖2-9)。進(jìn)一步測定Lemont與Dular根系的硅吸收量及葉片硅含量,結(jié)果也表明UV-B輻射抗 (共 298 字) [閱讀本文] >>
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 應(yīng)用半定量RT-PCR分析正常生長條件下UV-B輻射抗性水稻品種Lemont和敏感水稻品種Dular根系Lsi1基因的表達(dá)豐度,結(jié)果發(fā)現(xiàn)Lemont根系的Lsi1基因表達(dá)量較Dular高(圖2-9)。進(jìn)一步測定Lemont與Dular根系的硅吸收量及葉片硅含量,結(jié)果也表明UV-B輻射抗 (共 298 字) [閱讀本文] >>