為了避免弛豫后SiGe層厚度超過(guò)臨界厚度形成的結(jié)晶缺陷,最近有人提出并測(cè)試了其他方法。一種方法是用SK生長(zhǎng)(Stranski-Krastanovgrowth),將生長(zhǎng)的Ge層嵌入Si晶體矩陣(crystalmatrix),形成三維的島(island)。嵌入的Ge層會(huì)增加電池基極的紅外光吸 (共 1042 字) [閱讀本文] >>
海量資源,盡在掌握
 為了避免弛豫后SiGe層厚度超過(guò)臨界厚度形成的結(jié)晶缺陷,最近有人提出并測(cè)試了其他方法。一種方法是用SK生長(zhǎng)(Stranski-Krastanovgrowth),將生長(zhǎng)的Ge層嵌入Si晶體矩陣(crystalmatrix),形成三維的島(island)。嵌入的Ge層會(huì)增加電池基極的紅外光吸 (共 1042 字) [閱讀本文] >>