[1]R.Brendel,D.Scholten.Modelinglighttrappingandelectronictransportofwaffle-shapedcrystallinethin-filmSisolarcells[J].AppliedPhysicsA:MaterialsandScienceProcessing,1999,A69(2):201-213.　[2]J.Palm,W.Krühler,W.Kusian,A.Lerchenberger,A.L.Endrös,G.Mihalik...[繼續(xù)閱讀]

    數(shù)十年來,研究太陽能技術(shù)的科學(xué)家一直在尋求用非硅材料的異質(zhì)襯底和Si鍍膜工藝來制備薄膜太陽能電池。這種硅基薄膜太陽能電池(silicon-basedthinfilmsolarcell)概念的優(yōu)勢(shì)是:大幅度地減少昂貴的太陽能級(jí)硅耗用量,而且可以完全不用硅...[繼續(xù)閱讀]

    制備異質(zhì)襯底晶體硅薄膜太陽能電池的高溫工藝具有較高的Si沉積速率,而且再結(jié)晶后的晶粒尺寸較大,外延層的缺陷密度較低。但是,必要的溫度穩(wěn)定性(temperaturestability)限制了異質(zhì)襯底材料的選擇,因?yàn)樾枰獫M足以下要求:●機(jī)械穩(wěn)定性...[繼續(xù)閱讀]

    異質(zhì)襯底晶體硅薄膜太陽能電池可以選用的低成本異質(zhì)襯底包括:●Si3N4陶瓷[19,20];●ZrSiO[21]4;●滲硅碳化硅(SiliconinfiltratedSiliconCarbide,SiSiC)陶瓷[22];●反應(yīng)結(jié)合碳化硅(ReactionBondedSiliconCarbide,RBSiC)陶瓷[23];●基于Al2O3的陶瓷[24];●富鋁紅...[繼續(xù)閱讀]

    因?yàn)榫w硅是間接帶隙半導(dǎo)體,需要一定的陷光結(jié)構(gòu),才能提高異質(zhì)襯底晶體硅薄膜太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。如果不增加光程長(zhǎng),就不能體現(xiàn)晶體硅薄膜的優(yōu)勢(shì),即低材料質(zhì)量要求情況下的高開路電壓Voc潛力。事實(shí)上,運(yùn)用低溫工藝實(shí)現(xiàn)商...[繼續(xù)閱讀]

    中間層不但有陷光作用,還是針對(duì)襯底雜質(zhì)的擴(kuò)散阻擋層。原則上,在異質(zhì)襯底晶體硅薄膜太陽能電池中,任何化學(xué)元素都是對(duì)Si有源層的雜質(zhì)污染,而我們重點(diǎn)關(guān)注的雜質(zhì)元素由以下三個(gè)原則界定:●原材料中濃度較大的元素:過渡金屬...[繼續(xù)閱讀]

    如果通過高溫的化學(xué)氣相沉積CVD在異質(zhì)襯底上沉積Si薄膜,典型的晶粒尺寸在μm量級(jí)。到目前為止,運(yùn)用傳統(tǒng)晶體硅薄膜太陽能電池工藝,將這種Si薄膜制備為p-n結(jié),得到的最高轉(zhuǎn)換效率低于6%[26,53,54]。但是,通過固相再結(jié)晶或液相再結(jié)晶...[繼續(xù)閱讀]

    為了了解區(qū)熔再結(jié)晶ZMR的機(jī)理,需要通過實(shí)驗(yàn)分析ZMR生長(zhǎng)薄膜的形貌(morphology或topography)。對(duì)ZMR生長(zhǎng)的薄膜進(jìn)行射哥蝕刻(Seccoetch),薄膜會(huì)出現(xiàn)典型的缺陷結(jié)構(gòu)。對(duì)Si薄膜的射哥蝕刻是一種擇優(yōu)蝕刻(preferentialetch或selectiveetch)。按照2∶1的...[繼續(xù)閱讀]

    區(qū)熔再結(jié)晶ZMR的最重要作用是增大籽晶層的晶粒尺寸,其機(jī)理的解釋參見2.3.2節(jié)。對(duì)ZMR之前和之后的籽晶層分別進(jìn)行射哥蝕刻,可以觀測(cè)其晶體結(jié)構(gòu)的橫截面:●ZMR之前的剛沉積后層:典型的剛沉積后層中,晶粒尺寸在μm量級(jí),最先沉積的...[繼續(xù)閱讀]

    2.3.2節(jié)討論了區(qū)熔再結(jié)晶ZMR工藝中亞晶界缺陷的形成機(jī)理。在ZMR工藝步驟后,高摻雜的Si薄膜需要通過外延生長(zhǎng),形成正常摻雜的較厚Si薄膜,才能制備異質(zhì)襯底晶體硅薄膜太陽能電池。所以,ZMR籽晶層的缺陷與外延生長(zhǎng)薄膜的關(guān)系非常重...[繼續(xù)閱讀]