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太陽(yáng)能光伏 共有 283 個(gè)詞條內(nèi)容

3.5.4 陷阱效應(yīng)

    最后再提一下陷阱效應(yīng)。各種復(fù)合中心都存在一定的陷存非平衡載流子的可能性,被陷載流子并不按間接復(fù)合途徑完成復(fù)合,而是要靠熱激活躍遷到導(dǎo)帶(電子)或價(jià)帶(空穴),之后再按可行機(jī)制完成復(fù)合,一般情況下這種陷存對(duì)前述間接復(fù)...[繼續(xù)閱讀]

太陽(yáng)能光伏

3.6.1 p-n結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)的形成

    考慮一個(gè)如圖3.9所示的p-n結(jié),假定體系在各個(gè)方向的尺度都可以看作無(wú)窮大,分析中不涉及表面局限?,F(xiàn)設(shè)想該p-n結(jié)瞬間形成之后初期將發(fā)生的微觀過(guò)程和導(dǎo)致的結(jié)果,可歸納為三個(gè)要點(diǎn):1)擴(kuò)散n型區(qū)電子濃度較p型區(qū)高,電子會(huì)由n型區(qū)向...[繼續(xù)閱讀]

太陽(yáng)能光伏

3.6.2 p-n結(jié)I-V特性

    給一個(gè)自身已具有電壓V0的器件外加一個(gè)電壓V1,其結(jié)果很簡(jiǎn)單,如兩者方向一致,器件上的電壓就由V0增加為V0+V1,如兩者方向相反,器件上的電壓就由V0減小為V0-V1。外加直流電壓到p-n結(jié)兩端時(shí)(習(xí)慣稱偏置電壓),由于p-n結(jié)空間電荷區(qū)載流子...[繼續(xù)閱讀]

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3.7.1 半導(dǎo)體的基本光學(xué)性能

    光是一種電磁波,它在固體中如在空氣中一樣也發(fā)生傳播,相關(guān)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度服從麥克斯韋方程。求解該方程,可同時(shí)解出材料的折射率n和吸收系數(shù)α。兩者都與材料介電常數(shù)和電導(dǎo)率有關(guān)。一種材料的n,α的含義可分別由以下兩式體現(xiàn)...[繼續(xù)閱讀]

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3.7.2 半導(dǎo)體的光吸收機(jī)制

    在半導(dǎo)體中最主要的光的吸收機(jī)制就是我們前面已經(jīng)述及的光照條件下非平衡載流子激發(fā),或非平衡載流子光注入,這一小節(jié)專門(mén)介紹具體的激發(fā)(吸收)條件,吸收系數(shù)與入射光波長(zhǎng)的定量關(guān)系等。注意半導(dǎo)體在光照下的非平衡載流子的...[繼續(xù)閱讀]

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3.8 結(jié)語(yǔ)

    本章力求以通俗易懂的方式簡(jiǎn)要而完整地介紹了光伏技術(shù)所涉及的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)。相對(duì)于一般半導(dǎo)體物理教材,其中省略的內(nèi)容主要為三類:①與光伏技術(shù)無(wú)關(guān)的部分;②數(shù)學(xué)推導(dǎo)過(guò)程;③固體物理基礎(chǔ)知識(shí)。然而對(duì)一些重要的、較難...[繼續(xù)閱讀]

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參考文獻(xiàn)

    [1] 劉恩科,朱秉升,羅晉生.半導(dǎo)體物理學(xué)(第6版)[M].北京:電子工業(yè)出版社,2003.[2] 施敏(S.M.Sze),伍國(guó)玨(KwokK.NG).半導(dǎo)體器件物理(第3版)[M].耿莉,張瑞智,譯.西安:西安交通大學(xué)出版社,2008.[3] GREENMA.SolarCells—OperatingPrinciples,TechnologyandSys...[繼續(xù)閱讀]

太陽(yáng)能光伏

4.1 引言

    光伏發(fā)電可以說(shuō)是半導(dǎo)體太陽(yáng)電池發(fā)電的同義語(yǔ);光伏電池與半導(dǎo)體太陽(yáng)電池含義也相同,一般稱太陽(yáng)電池,這里加上“半導(dǎo)體”是為了將有機(jī)物太陽(yáng)電池與染料敏化太陽(yáng)電池排除在外。這兩類電池迄今還基本未走出實(shí)驗(yàn)室。事實(shí)上半...[繼續(xù)閱讀]

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4.2.1 晶體硅太陽(yáng)電池基本構(gòu)成、功能與工藝概述

    一片實(shí)用的普通太陽(yáng)電池是一張156×156mm2、約0.18mm厚的方形薄片,薄片材料是硅晶體,其朝光一面有密布細(xì)金屬柵線和兩道或三道橫跨連接這些細(xì)柵線的供輸出接觸的粗柵線,背面則完全覆蓋金屬。這是我們?nèi)庋鬯芸吹降娜繕?gòu)造。圖...[繼續(xù)閱讀]

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4.2.2 半導(dǎo)體太陽(yáng)電池發(fā)電原理

    第3章中我們介紹過(guò)半導(dǎo)體p-n結(jié),到講完它的“暗I-V特性”結(jié)束。當(dāng)時(shí)離它的光照下發(fā)電原理已經(jīng)很近了?,F(xiàn)在我們還是緊緊依托這個(gè)基礎(chǔ)來(lái)講清它。仍以硅片太陽(yáng)電池為例。暗條件下,半導(dǎo)體p-n結(jié)雖有內(nèi)建電場(chǎng)卻不會(huì)輸出電流,也不會(huì)...[繼續(xù)閱讀]

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