一個運動的粒子,當遇到有限勢壘臺階時會發(fā)生反射及隧穿效應(yīng),這是納米物理學的一個基本特征。設(shè)x<0時U=0;x>0時U=U0,如圖4.4所示。圖4.4 在x=0處有限勢壘臺階1.E>U0當E>U時,入射的粒子部分透射,部分反射,對于-x有φ(-x)=Aexp(ikx...[繼續(xù)閱讀]
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一個運動的粒子,當遇到有限勢壘臺階時會發(fā)生反射及隧穿效應(yīng),這是納米物理學的一個基本特征。設(shè)x<0時U=0;x>0時U=U0,如圖4.4所示。圖4.4 在x=0處有限勢壘臺階1.E>U0當E>U時,入射的粒子部分透射,部分反射,對于-x有φ(-x)=Aexp(ikx...[繼續(xù)閱讀]
如果勢壘的寬度減小到t,0<x<t,問題變?yōu)榱艘粋€隧穿透射問題,透射概率密度2正比于exp(-2κT)。這時,會有一個行波,振幅為F,當x是很大的正值時,ψ(x)=Fexp(ikx),相應(yīng)的透射概率密度由下式?jīng)Q定:2=(4.56)式中,A為從x<0處來的波幅。為解決...[繼續(xù)閱讀]
三維薛定諤方程的一般形式是-2ψ(r)+U(r)ψ(r)=Eψ(r)(4.60)式中,2=++;r是由分量為x,y,z組成的矢量。不難看出,在體積為L3三維無限深不可穿透勢壘壁的勢阱中,粒子的波函數(shù)為ψn(x,y,z)=sinsinsin(4.61a)En=(nx+ny+nz)(4.61b)1.二維盒子中的束縛電子一...[繼續(xù)閱讀]
1.二維帶現(xiàn)代半導體裝置的另外一類物理問題:載流子在一個維度上,例如z軸方向,被限制在一定的厚度d,但在另外兩個方向x和y上是自由的,這經(jīng)常叫做量子阱。此時有ψn(x,y,z)=sinexp(ikxx)exp(ikyy)(4.63a)在第n帶的能級為En=n2z++(4.63b)這時,量...[繼續(xù)閱讀]
簡諧振蕩是指質(zhì)點在彈簧上,或者兩分子相對于其平衡位置的振動(事實證明,很多情況都與簡諧振動有關(guān),包括電磁場在兩個固定的鏡子表面的振動)。質(zhì)點質(zhì)量為m,彈簧勁度系數(shù)為k,共振角頻率為ω=(4.66)作為一個納米物理學問題,需要在...[繼續(xù)閱讀]
薛定諤方程在球坐標中的表現(xiàn)形式有很大變化,它更適合于描述電子在原子中的運動,這種情形下,能量U僅與徑向坐標r有關(guān),從而使問題具有球?qū)ΨQ形式。在球坐標的標準符號中,x=rsinθcosφ,y=rsinθsinφ,z=rcosθ,其中θ和φ分別表示極角和方...[繼續(xù)閱讀]
原子的磁特性是納米技術(shù)中很重要的性質(zhì),硬盤的磁記憶功能就是它很好的一個運用。磁矩的定義為μ=iA(4.80)磁矩是由環(huán)形電流包圍一個有方向的面積A產(chǎn)生的,磁化強度是單位體積內(nèi)的磁矩。一個磁矩產(chǎn)生的磁偶極子磁場如同普通的條...[繼續(xù)閱讀]
一個在單位體積內(nèi)有N個無相互作用磁矩的系統(tǒng)在施加的磁感應(yīng)強度B中會產(chǎn)生磁極化,因為當磁矩指向磁感應(yīng)強度B的方向時能量較低。設(shè)能量分裂為2μBB(對于電子g=2),并假定玻爾茲曼分布對于自旋向上的電子為exp(),對于自旋向下的電...[繼續(xù)閱讀]
在處理氫原子及單電子原子時,常假設(shè)質(zhì)子或電荷數(shù)為Z的原子核是靜止的或者質(zhì)量是無限大的。這種簡化是不完全正確的,一個有力的例子就是電子偶素,一個正電子和一個負電子的束縛態(tài)。這兩種粒子有相同的質(zhì)量,但是電荷相反,在...[繼續(xù)閱讀]
薛定諤方程告訴我們,在勢能函數(shù)U描述的物理問題中,粒子占據(jù)量子化的能量狀態(tài),這樣的結(jié)果使自然界的粒子分為兩種:玻色子和費米子。因為它們占據(jù)量子態(tài)的方式不同,遵從不同的規(guī)則。費米子遵從的規(guī)則:一個能級只能由一個粒子...[繼續(xù)閱讀]