2.3.1 區(qū)熔再結(jié)晶的發(fā)展

如果通過(guò)高溫的化學(xué)氣相沉積CVD在異質(zhì)襯底上沉積Si薄膜,典型的晶粒尺寸在μm量級(jí)。到目前為止,運(yùn)用傳統(tǒng)晶體硅薄膜太陽(yáng)能電池工藝,將這種Si薄膜制備為p-n結(jié),得到的最高轉(zhuǎn)換效率低于6%[26,53,54]。但是,通過(guò)固相再結(jié)晶或液相再結(jié)晶 ......（本文共 1961 字 , 2 張圖）     [閱讀本文] >>