2.3.3.2 籽晶層的位錯(cuò)密度

2.3.2節(jié)討論了區(qū)熔再結(jié)晶ZMR工藝中亞晶界缺陷的形成機(jī)理。在ZMR工藝步驟后,高摻雜的Si薄膜需要通過外延生長(zhǎng),形成正常摻雜的較厚Si薄膜,才能制備異質(zhì)襯底晶體硅薄膜太陽能電池。所以,ZMR籽晶層的缺陷與外延生長(zhǎng)薄膜的關(guān)系非常重 ......（本文共 1011 字 , 3 張圖）     [閱讀本文] >>