2.3.3.3 高掃描速度區(qū)熔再結(jié)晶

所屬欄目：薄膜太陽能電池

2.3.3.3 高掃描速度區(qū)熔再結(jié)晶

在區(qū)熔再結(jié)晶ZMR工藝調(diào)整的許可范圍內(nèi),更高的成本可以直接轉(zhuǎn)化為掃描速度的增加。原則上,ZMR不是高投資的工藝,所以主要的投資成本來自于單位面積的工藝成本。進(jìn)一步的計(jì)算表明,為了使ZMR成本低于10/m2,工藝的掃描速度必須高于 ......（本文共 2353 字 , 3 張圖）     [閱讀本文] >>


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