2.3.4.1 設(shè)備配置

在20世紀(jì)80年代初就有報(bào)道,用非相干光源作為熱源的區(qū)熔再結(jié)晶ZMR制備Si薄膜,用于微電子領(lǐng)域的絕緣體上硅SOI應(yīng)用[101]。10年之后,ZMR應(yīng)用于異質(zhì)襯底晶體硅薄膜太陽(yáng)能電池的研究,先是日本三菱電機(jī)在1996年的報(bào)道[102],而后是德國(guó)弗勞 ......（本文共 1254 字 , 2 張圖）     [閱讀本文] >>