2.3.5 陶瓷襯底上的區(qū)熔再結(jié)晶

之前章節(jié)的討論表明,即使用單晶硅或多晶硅硅片作為模型襯底,區(qū)熔再結(jié)晶ZMR生長Si薄膜的質(zhì)量也依賴于襯底的數(shù)個(gè)參數(shù)。如果用非理想的陶瓷襯底,ZMR更加會受到陶瓷襯底較差特性參數(shù)的影響。區(qū)別于Si模型襯底,陶瓷襯底的以下幾個(gè) ......（本文共 2009 字 , 3 張圖）     [閱讀本文] >>