.jpg)
 之前章節(jié)的討論表明,即使用單晶硅或多晶硅硅片作為模型襯底,區(qū)熔再結(jié)晶ZMR生長Si薄膜的質(zhì)量也依賴于襯底的數(shù)個(gè)參數(shù)。如果用非理想的陶瓷襯底,ZMR更加會(huì)受到陶瓷襯底較差特性參數(shù)的影響。區(qū)別于Si模型襯底,陶瓷襯底的以下幾個(gè) (共 2009 字) [閱讀本文] >>
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 之前章節(jié)的討論表明,即使用單晶硅或多晶硅硅片作為模型襯底,區(qū)熔再結(jié)晶ZMR生長Si薄膜的質(zhì)量也依賴于襯底的數(shù)個(gè)參數(shù)。如果用非理想的陶瓷襯底,ZMR更加會(huì)受到陶瓷襯底較差特性參數(shù)的影響。區(qū)別于Si模型襯底,陶瓷襯底的以下幾個(gè) (共 2009 字) [閱讀本文] >>