2.4.4 在陶瓷襯底上的硅沉積

在SiO2或其他中間層上用SiHCl3通過常壓化學(xué)氣相沉積APCVD進(jìn)行多晶硅沉積,是微電子領(lǐng)域的常規(guī)工藝。2.4.3節(jié)描述的反應(yīng)腔和工藝適用于異質(zhì)襯底晶體硅薄膜太陽能電池,在鍍有SiO2的Si襯底上沉積多晶硅層,之后經(jīng)過區(qū)熔再結(jié)晶ZMR形成籽晶 ......（本文共 1612 字 , 4 張圖）     [閱讀本文] >>